一、材料準備階段?

1、基材選擇?

常用銅材（紫銅、銅鉻鋯合金）或不銹鋼，厚度通常為0.03~0.7mm，需保證高導熱性（>320W/(m·K)）和機械強度。

材料需經退火處理（銅材300~500℃）以改善晶格均勻性，減少蝕刻變形。

2、表面預處理?

除油：丙酮超聲清洗+酸洗去除氧化層，確保后續掩膜附著力。

鈍化：鉻酸鹽處理銅表面防止氧化。

二、圖形轉移階段?

1、掩膜制作?

涂覆光刻膠：旋涂（3000rpm對應1μm膠層）或噴涂，前烘（80~100℃/1~2min）固化。

曝光顯影：UV曝光（365nm波長，10~30mJ/cm2劑量）后，正膠用NaOH顯影，負膠保留曝光區域。

硬烘（120℃）增強掩膜耐蝕性。

2、圖形設計?

毛細通道結構需通過半刻工藝實現，支撐柱區域需完全保護。

三、蝕刻加工階段?

1、濕法蝕刻（主流工藝）?

銅材?：FeCl?溶液（40~50℃）或環保型過硫酸鹽，蝕刻速率1μm/30~60秒。

不銹鋼?：HCl+HNO?混酸（王水）或氯化鐵溶液，需控制側蝕率<10%。

噴淋壓力與溫度均勻性直接影響蝕刻深度一致性。

2、干法蝕刻（高精度需求）?

等離子體蝕刻（CF?/O?）用于納米級結構，如微溝槽陣列。

四、后處理與組裝?

去膜清洗?

堿液（40~60g/L NaOH，50~80℃）去除光刻膠，氧等離子體灰化殘留。

鈍化處理防止氧化，必要時電鍍鎳層增強耐腐蝕性。

均溫板組裝?

上下蓋板點膠貼合，內置銅網支撐結構，真空注水后密封。

高溫燒結（一次成型）提升結構強度，良率可達95%以上。

五、質量控制?

AOI檢測?：光學掃描對比設計圖形，識別蝕刻不均或殘銅缺陷。

氦檢漏?：確保腔體密封性，漏率需<1×10?? Pa·m3/s3。